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IXFH 18N60P
IXFV 18N60P IXFV 18N60PS
40
35
Fig. 7. Input Admittance
24
T J = - 40oC
25oC
Fig. 8. Transconductance
30
25
20
16
125oC
20
12
15
T J = 125oC
8
10
5
0
25oC
- 40oC
4
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
5
10
15
20
25
30
35
40
70
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
60
9
8
V DS = 300V
I D = 9A
I G = 10mA
50
40
30
20
T J = 125oC
T J = 25oC
7
6
5
4
3
2
10
1
0
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
C iss
R DS(on) Limits
1,000
100
C oss
10
10ms
1ms
25μs
100μs
10
C rss
1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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